10年来最大进展之一，三星电子宣布研发出1Tb芯片

三星电子 NAND Flash 技术再升级，在今天三星电子宣布研发出容量达 1 Tb（terabit）的 3D NAND 芯片，预计明年问世。据报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆栈的 3D NAND），容量是当前最大内芯片512Gb（gigabit）的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die，构成一组 V-NAND 组，每组闪存容量可达 2TB（terabyte）。三星宣称，该技术是过去 10 年来闪存的最大进展之一。

1Tb 相当于 126GB，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智能和物联网，数据密集的应用程序大增，Flash 内存扮演关键角色，可以加快数据抽取速度，以供实时分析。

不只如此，三星也秀出 NGSFF 固态硬盘（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，将于今年第四季量产。

三星 2016 年发表 Z-SSD 技术，现在首度发表采用此一技术的 SZ985 固态硬盘，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。