打破垄断：国产闪存芯片之路有多远？

你知道每年中国进口的商品当中，哪一项是花钱最多的吗？粮食？原油？机械设备？都不是！

　　中国在一种体积很小的产品上花掉的钱远远超过那些大宗商品，这种产品就是——芯片。仅2016年1月份到10月份，中国在进口芯片上一共花费了1.2万亿人民币，是花费在原油进口上的两倍。2017年中国芯片市场规模达到千亿美元，占全球芯片市场50%以上。其中存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内市场比重23.7%，其比重超过CPU、手机基带芯片。而中国存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。

　　国产化闪存颗粒，已刻不容缓。

　　在中国固态硬盘市场，因闪存颗粒不足问题所导致的问题更为严重：廉价、非原厂品牌的SSD销量开始逐步上升，而原厂颗粒受影响销量下滑。

　　过去三年是固态硬盘发展的黄金时期，国产SSD品牌因为技术壁垒、品牌熟知度等问题无法和一线品牌抗衡。但今天各大Flash原厂由于发力3D Flash技术，导致闪存颗粒严重缺货，价格自然也水涨船高，所以消费者受价格因素影响不得不选择此类不良固态硬盘。

　　现今3D Flash产能仍然严峻，良品率低因此产生的原料非常多。这些原料对于一线品牌是废品，但到了不良厂商手中却成了“宝藏”。

　　现在，中国这样的SSD品牌高达上百个，乱象丛生。

2017闪存市场现状：没国产啥事

　　上文提到，现在各大闪存芯片厂商正在加紧量产3D NAND，这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点。美光、东芝/西部数据（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特尔也加入到3D NAND。但大部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期，三星最早投入3D NAND，到2016年底生产比重才突破35%，东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，从而导致3D NAND上市延后。

　　2016年是闪存芯片转型的一年，三星西安厂/Fab 17/Fab 18、东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将在2017年全面进入3D NAND量产阶段，原厂3D NAND产能竞赛正在有序开展。

2017年Flash原厂3D NAND技术规划：

● 三星：64层V-NAND产品，三星已经开始了样品的测试和小规模试产，预计在2017年Q1开始放大试产规模，预计V-NAND产能的占比在2017年Q1将达到45%。

● 东芝/西部数据(WD SanDisk)：2016下半年宣布3D技术向64层提升，年底已小量生产。2017年会把生产主力切换到64层3D NAND量产。

● SK海力士：2017年计划提升至72层3D NAND量产，将在Q1推出样品，Q2开始小批量生产。

● 美光：64层3D NAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。

中国闪存芯片布局

　　我们先看一下中国有哪些正在崛起的存储供应商。

　　在IC Insights副总裁Brian Matas早期的报告中我们看到，现在中国存储领域有三个主要的竞争者，分别是：

　　(1)2016年7月，紫光集团收购了武汉新芯，并建立了一个叫长江存储的合资公司。这个12寸晶圆厂将聚焦在3D NAND Flash的生产，至于具体的量产时间，还没有披露

　　(2)合肥SKT项目，预估在2017年底建造一个DRMA FAB

　　(3)福建晋华项目，准备打造DRAM Fab，预估在2018年第三季度量产

　　在以上三个项目中，合肥的SKT项目已经停止运营了。这个由尔必达前CEO Yukio Sakamoto建立的公司，曾经尝试从日本、台湾和韩国招募1000个存储相关的工程师，以弥补中国在有经验的存储开发工程师的不足，Sakamoto更是想从日本寻找180个能够迁到中国来工作的工程师，但这个提议遭到了合肥当地政府的反对。

　　尽管SKT的承诺超过了半导体行业的正常现象，但这也给了中国半导体人一些新的方向。一个能够笼络工程师去保持他们Fab继续运行的方法。

　　而在设备方面，长江存储方面表示，他们现在用的半导体设备和三星在西安工厂所使用的是一样的(三星的西安工厂只制造32层的NAND Flash，64层的NAND Flash是在韩国本土制造)。

　　不过虽然长江存储能买到同样的设备，但他们缺少有经验的人去操作这些设备。

　　笔者认为，对于长江存储来说，首先要做的事就是从三星西安这些公司挖角晶圆厂操作工人。之后可以从三星和SK海力士挖一些高级的工程师。再看能够从美光和东芝获取一些相关的技术信息。这是紫光解决问题的方法之一。

中国疯狂建厂存在的风险

　　从现在的种种迹象表明，3D NAND产能不足的问题将于2018年缓解。而长江存储近2年疯狂的半导体建设或许会引发一个新的风险，那就是产能过剩。

　　去年，IC Insights的Matas写到，现在在追逐3D NAND Flash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪和长江存储。还有一些可能加入战局的中国制造商。

　　虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变，并会带来很强大的存储需求，但如果中国的存储布局能够顺利进行，那么最后必将会面对产能过剩的风险。

　　有人指出，对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度，究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断，给我们带来更多的选择，还是该批判他们这种行为？

　　一位专家海指出，中国想通过存储切入半导体产业链，这或许是一个错误的选择。因为存储上面投资的金额实在太大了。每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险。

　　投资无数的钱在一个未知结果的领域，面临的压力是可想而知的。

　　最后回到标题，国产闪存芯片之路有多远？

　　根据紫光集团布局和建厂进度，2018年我国将量产3D NAND闪存，大家请耐心等待。