未来已来，1nm 晶体管诞生

据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队成功打破物理极限，利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管，成功的将晶体管的制程从 14nm 缩减到 1nm 实现了芯片制程的重大突破。

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此前，因特尔表示为了追上摩尔定律的步伐，在芯片制程到达 7nm 以后将放弃传统的硅芯片工艺，引入新的材料。多年来，集成电路的技术发展一直遵循着摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18-24 个月翻一倍以上。

而为了跟上摩尔定律的节奏，工程师必须不断缩小晶体管的尺寸。但是随着晶体管尺寸的缩小，源极和栅极间的沟道也在不断缩短，当沟道缩短到一定程度的时候（从芯片制造来看，一般认为这个极限程度是 5nm），量子隧穿效应就会变得极为容易，换言之，就算是没有加电压，源极和漏极都可以认为是互通的，晶体管就失去了本身开关的作用，无法实现逻辑电路。

1nm晶体管的诞生是一次对物理极限的突破，让我们再次看到了芯片工艺继续追随摩尔定律的可能，虽然这项技术目前仍旧处于实验室阶段，但是当他走出实验室的那一刻必将给整个芯片行业带来革命性的变化。未来已来，只是尚未流行。