英特尔精尖制造日，10纳米晶圆首发

p.p1 {margin: 0.0px 0.0px 0.0px 0.0px; font: 18.0px 'PingFang SC'}p.p2 {margin: 0.0px 0.0px 0.0px 0.0px; font: 18.0px 'PingFang SC'; min-height: 25.0px}

2017年9月19日，“英特尔精尖制造日”活动在北京举行，英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭，英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy J. Smith，英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark T. Bohr，英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶元代工业务联席总经理Zane A. Ball等嘉宾出席本次活动，不仅分享了英特尔对于半导体行业未来发展看法和预期，同时还带来大量干货：领先行业3年的14纳米技术、用于数据中心的英特尔64层3D NAND固态硬盘、正在拓展的景园代工业务以及“Cannon Lake”10纳米晶圆等等。

英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭指出，随着移动互联发展，5G时代的到来，将会有更多的智能终端产生数据，预计到2020年全球将有500亿台互联网设备，产生44ZB数据（1ZB=1024EB，1EB=1024PB，1PB=1024TB，1TB=1024GB），全球晶体管产能将达到2.5X10的20次方。海量数据将持续推动全球IC创新，英特尔将是未来计算的中心。

业界领先的技术及制造实力是英特尔能够带来卓越计算力应对海量数据需求的重要依仗。在英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy J. Smith的主题演讲环节，首先介绍了英特尔在中国的“芯路”，同时掷地有声的回答了目前业内对于摩尔定律的质疑。Stacy Smith指出摩尔定律不会失效，并将继续发挥作用。作为摩尔定律的实践，PC处理器每晶体管的加权平均成本（对标90纳米相对刻度）到22纳米、14纳米、10纳米稳步降低，将持续带来效能、利润的提升。

与此同时，英特尔业内领先地位没有动摇，在14纳米制程工艺仍旧领先竞争对手3年，并且在制造能力方面也让对手望尘莫及。据Stacy Smith介绍，英特尔技术与制造集团员工数量达到了3万人，制造（洁净）厂房面积在400万平方英尺以上，每秒生产晶体管数量100亿以上。值得一提的是，英特尔进入中国的32年中，于中国共成长，深入市场布局半导体精尖制造，目前中国员工人数超过7000人，子2004年至今协议总投资130亿美元以上，在大连设有晶圆厂，成都设有封装测试工厂。在本次“英特尔精尖制造日”活动上还宣布英特尔将拓展晶圆代工，对准不断增长的高端晶圆代工市场。

作为“英特尔精尖制造日”活动的亮点，Stacy Smith除了带来用于数据中心的英特尔64层3D NAND固态硬盘外，还有“one more thing”——全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆。选择在中国进行“Cannon Lake”10纳米晶圆首秀，足以表达英特尔对于中国市场的重视。

在随后英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark T. Bohr对于英特尔10纳米制程工艺进行详细介绍时指出，通过应用超微缩技术，较传统工艺显著提升了微缩水平，进一步降低每个晶体管的成本，提高性能功耗比。最终英特尔10纳米制程工艺在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、逻辑晶体管密度等每项指标均领先于对手的10纳米技术。

据悉，“Cannon Lake”10纳米晶圆拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代。英特尔10纳米制程技术计划于2017年下半年开始生产，联系此前8月正式发布的第八代酷睿处理器，用户有望于今年底或者明年初体验到采用Cannon Lake架构、10纳米制程处理器的产品。